RS6L090BGTB1

Número do Produto do Fabricante:

RS6L090BGTB1

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

RS6L090BGTB1-DG

Descrição:

NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET

Descrição Detalhada:

N-Channel 60 V 90A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Inventário:

2206 Pcs Novo Original Em Estoque

12990010

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RS6L090BGTB1 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

ROHM Semiconductor

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Série

-

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

60 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

90A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 90A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

2.5V @ 1mA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

28 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1950 pF @ 30 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

3W (Ta), 73W (Tc)

Temperatura de operação

150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

8-HSOP

Pacote / Estojo

8-PowerTDFN

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

RS6L090BGTB1-DG

Informação Adicional

Outros nomes

846-RS6L090BGTB1CT

846-RS6L090BGTB1DKR

846-RS6L090BGTB1TR

Pacote padrão

2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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