RS3E180ATTB1

Número do Produto do Fabricante:

RS3E180ATTB1

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

RS3E180ATTB1-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP

Descrição Detalhada:

P-Channel 30 V 18A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Inventário:

3328 Pcs Novo Original Em Estoque

13526911

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RS3E180ATTB1 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

ROHM Semiconductor

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Série

-

Status do produto

Active

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

30 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

18A (Ta)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 18A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

2.5V @ 5mA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

160 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

7200 pF @ 15 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

1.4W (Ta)

Temperatura de operação

150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

8-SOP

Pacote / Estojo

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Número do produto base

RS3E

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes

RS3E180ATTB1DKR

RS3E180ATTB1CT

RS3E180ATTB1TR

Pacote padrão

2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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