RQ7G080BGTCR
Número do Produto do Fabricante:

RQ7G080BGTCR

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

RQ7G080BGTCR-DG

Descrição:

NCH 40V 8A, TSMT8, POWER MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 8A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8

Inventário:

2951 Pcs Novo Original Em Estoque
12975192
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RQ7G080BGTCR Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.5mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
530 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.1W (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TSMT8
Pacote / Estojo
8-SMD, Flat Lead
Número do produto base
RQ7G080

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
846-RQ7G080BGTCRTR
846-RQ7G080BGTCRCT
846-RQ7G080BGTCRDKR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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