Número do Produto do Fabricante:
RJ1L12CGNTLL
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
RJ1L12CGNTLL-DG
Descrição:
NCH 60V 120A POWER MOSFET: RJ1L1
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 166W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Inventário:
1000 Pcs Novo Original Em Estoque
12998018
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
RJ1L12CGNTLL Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 200µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7100 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
166W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263AB
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
RJ1L12
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-RJ1L12CGNTLLCT
846-RJ1L12CGNTLLDKR
846-RJ1L12CGNTLLTR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
CMS09N10D-HF
MOSFET N-CH 100V 9.6A DPAK
SCT4013DRC15
750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
GSFP0255
MOSFET, P-CH, SINGLE, -55A, -20V
