Número do Produto do Fabricante:
RGT8NS65DGC9
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
RGT8NS65DGC9-DG
Descrição:
IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO262
Descrição Detalhada:
IGBT Trench Field Stop 650 V 8 A 65 W Through Hole TO-262
Inventário:
965 Pcs Novo Original Em Estoque
13526288
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RGT8NS65DGC9 Especificações Técnicas
Categoria
IGBTs, IGBTs Únicos
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo IGBT
Trench Field Stop
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
650 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
8 A
Corrente - Coletor pulsado (Icm)
12 A
vce (on) (max) @ vge, ic
2.1V @ 15V, 4A
Potência - Máx.
65 W
Energia de comutação
-
Tipo de entrada
Standard
Cobrança do portão
13.5 nC
Td (ligado/desligado) @ 25°C
17ns/69ns
Condição de teste
400V, 4A, 50Ohm, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr)
40 ns
Temperatura de operação
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-262
Número do produto base
RGT8NS65
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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