RF4L055GNTCR
Número do Produto do Fabricante:

RF4L055GNTCR

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

RF4L055GNTCR-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 5.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8

Inventário:

15176 Pcs Novo Original Em Estoque
13525058
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RF4L055GNTCR Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.7V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
400 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
HUML2020L8
Pacote / Estojo
8-PowerUDFN
Número do produto base
RF4L055

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
RF4L055GNTCRCT
RF4L055GNTCRDKR
RF4L055GNTCRTR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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