Número do Produto do Fabricante:
RF4E110BNTR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
RF4E110BNTR-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
Inventário:
966 Pcs Novo Original Em Estoque
13525346
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RF4E110BNTR Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.1mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1200 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
HUML2020L8
Pacote / Estojo
8-PowerUDFN
Número do produto base
RF4E110
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
RF4E110BNTRDKR
RF4E110BNTRTR
RF4E110BNTRCT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
PMPB13XNE,115
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
22326
NÚMERO DA PEÇA
PMPB13XNE,115-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.11
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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