Número do Produto do Fabricante:
RD3P05BATTL1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
RD3P05BATTL1-DG
Descrição:
PCH -100V -50A POWER MOSFET: RD3
Descrição Detalhada:
P-Channel 100 V 50A (Tc) 101W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventário:
3965 Pcs Novo Original Em Estoque
13005849
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
RD3P05BATTL1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4620 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
101W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
RD3P05
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-RD3P05BATTL1TR
846-RD3P05BATTL1CT
846-RD3P05BATTL1DKR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
MSJPF11N80A-BP
N-CHANNEL MOSFET, TO-220F
SIS4634LDN-T1-GE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
E3M0032120K
SIC, MOSFET, 32M, 1200V, TO-247-
