RD3G07BATTL1
Número do Produto do Fabricante:

RD3G07BATTL1

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

RD3G07BATTL1-DG

Descrição:

PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Descrição Detalhada:
P-Channel 40 V 70A (Tc) 101W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventário:

10030 Pcs Novo Original Em Estoque
12948890
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RD3G07BATTL1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.1mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5550 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
101W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
RD3G07

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
846-RD3G07BATTL1TR
846-RD3G07BATTL1DKR
846-RD3G07BATTL1CT
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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