Número do Produto do Fabricante:
RD3G03BBGTL1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
RD3G03BBGTL1-DG
Descrição:
NCH 40V 65A, TO-252, POWER MOSFE
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 35A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventário:
2442 Pcs Novo Original Em Estoque
12994150
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
RD3G03BBGTL1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1170 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-RD3G03BBGTL1DKR
846-RD3G03BBGTL1CT
846-RD3G03BBGTL1TR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
STWA60N043DM9
N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5
MCU20N10A-TP-HF
Interface
NTTFSS1D1N02P1E
25V PT11E IN 3X3 SD PACKAGE
