Número do Produto do Fabricante:
R8011KNXC7G
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
R8011KNXC7G-DG
Descrição:
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 11
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 11A (Ta) 65W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventário:
1999 Pcs Novo Original Em Estoque
12996340
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R8011KNXC7G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 5.5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1200 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
65W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220FM
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
R8011
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-R8011KNXC7GTR-DG
846-R8011KNXC7GCTINACTIVE
846-R8011KNXC7GDKR
846-R8011KNXC7GDKR-DG
846-R8011KNXC7GDKRINACTIVE
846-R8011KNXC7GCT
846-R8011KNXC7GTR
846-R8011KNXC7G
846-R8011KNXC7GCT-DG
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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