Número do Produto do Fabricante:
R8002CND3FRATL
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
R8002CND3FRATL-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventário:
7551 Pcs Novo Original Em Estoque
12945911
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
R8002CND3FRATL Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
240 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
69W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
R8002
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-R8002CND3FRATLCT
846-R8002CND3FRATLDKR
846-R8002CND3FRATLTR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
RRR030P03HZGTL
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
IMBG120R060M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263
IAUC120N06S5L032ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34