Número do Produto do Fabricante:
R6530KNZC17
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
R6530KNZC17-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventário:
300 Pcs Novo Original Em Estoque
13275758
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
R6530KNZC17 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 960µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2350 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
86W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3PF
Pacote / Estojo
TO-3P-3 Full Pack
Número do produto base
R6530
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-R6530KNZC17
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
R6530ENZC17
MOSFET N-CH 650V 30A TO3
R6520ENZC17
MOSFET N-CH 650V 20A TO3
R6520KNZC17
MOSFET N-CH 650V 20A TO3