Número do Produto do Fabricante:
R6509ENXC7G
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
R6509ENXC7G-DG
Descrição:
650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 9A (Ta) 48W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventário:
994 Pcs Novo Original Em Estoque
12974246
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
R6509ENXC7G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
585mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 230µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
430 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
48W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220FM
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
R6509
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-R6509ENXC7G
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
PJS6415A_S2_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
NVMFS2D3P04M8LT1G
MV8 P INITIAL PROGRAM
PJQ5442_R2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
