R6055VNZC17
Número do Produto do Fabricante:

R6055VNZC17

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

R6055VNZC17-DG

Descrição:

600V 23A TO-3PF, PRESTOMOS WITH
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 99W (Tc) Through Hole TO-3PF

Inventário:

420 Pcs Novo Original Em Estoque
13001702
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

R6055VNZC17 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
71mOhm @ 16A, 15V
vgs(th) (máx) @ id
6.5V @ 1.5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3700 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
99W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3PF
Pacote / Estojo
TO-3P-3 Full Pack
Número do produto base
R6055VN

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
846-R6055VNZC17
Pacote padrão
30

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
epc

EPC2307ENGRT

TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN

micro-commercial-components

MCG10P03-TP

MOSFET P-CHANNEL MOSFET

microchip-technology

MSC015SMA070J

MOSFET SIC 700 V 15 MOHM SOT-227

icemos-technology

ICE15N60

Superjunction MOSFET