Número do Produto do Fabricante:
R6035ENZ1C9
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
R6035ENZ1C9-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
Inventário:
13525551
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R6035ENZ1C9 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
102mOhm @ 18.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2720 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
120W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247
Pacote / Estojo
TO-247-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
450
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK25N60X,S1F
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
TK25N60X,S1F-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.01
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