Número do Produto do Fabricante:
R6025FNZ1C9
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
R6025FNZ1C9-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247
Inventário:
13526866
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R6025FNZ1C9 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3500 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
R6025
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXFH42N60P3
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IXFH42N60P3-DG
PREÇO UNITÁRIO
4.39
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96
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