R6018JNXC7G
Número do Produto do Fabricante:

R6018JNXC7G

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

R6018JNXC7G-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 600V 18A TO220FM
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220FM

Inventário:

3154 Pcs Novo Original Em Estoque
13526177
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R6018JNXC7G Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
286mOhm @ 9A, 15V
vgs(th) (máx) @ id
7V @ 4.2mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
72W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220FM
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
R6018

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Pacote padrão
50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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