Número do Produto do Fabricante:
R6015ANX
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
R6015ANX-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 77W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventário:
183 Pcs Novo Original Em Estoque
13527477
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ENVIAR
R6015ANX Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1700 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
77W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220FM
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
R6015
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXTP12N65X2M
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IXTP12N65X2M-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.40
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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FABRICANTE
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
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PREÇO UNITÁRIO
2.05
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1.18
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PREÇO UNITÁRIO
0.84
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