Início
Produtos
Fabricantes
Sobre DiGi
Contacte-nos
Blogs & Publicações
Pedido de Cotação
Portugal
Entrar
Idioma Seletivo
Idioma atual da sua escolha:
Portugal
Trocar:
Inglês
Europa
Reino Unido
República Democrática do Congo
Argentina
Turquia
Romênia
Lituânia
Noruega
Áustria
Angola
Eslováquia
Itália
Finlândia
Belarus
Bulgária
Dinamarca
Estônia
Polônia
Ucrânia
Eslovênia
Tcheco
Grego
Croácia
Israel
Montenegro
Russo
Bélgica
Suécia
Sérvia e Montenegro
Basco
Islândia
Bósnia
Húngaro
Moldávia
Alemanha
Países Baixos
Irlanda
Ásia / Pacífico
China
Vietname
Indonésia
Tailândia
Laos
Filipinas
Malásia
Coréia
Japão
Hongkong
Taiwan
Cingapura
Paquistão
Arábia Saudita
Catar
Kuaite
Camboja
Myanmar
África, Índia e Oriente Médio
Emirados Árabes Unidos
Tajiquistão
Madagáscar
Índia
Irã
França
África do Sul
Egito
Quênia
Tanzânia
Gana
Senegal
Marrocos
Tunísia
América do Sul / Oceania
Nova Zelândia
Portugal
Brasil
Moçambique
Peru
Colômbia
Chile
Venezuela
Equador
Bolívia
Uruguai
Espanha
Paraguai
Austrália
América do Norte
Estados Unidos
Haiti
Canadá
Costa Rica
México
Sobre DiGi
Sobre nós
Sobre nós
As Nossas Certificações
DiGi Introdução
Por que DiGi
Política
Política de Qualidade
Termos de uso
Conformidade RoHS
Processo de Devolução
Recursos
Categorias de Produtos
Fabricantes
Blogs & Publicações
Serviços
Garantia de Qualidade
Forma de Pagamento
Envio Global
Taxas de Envio
Perguntas Frequentes
Número do Produto do Fabricante:
R6012JNJGTL
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
R6012JNJGTL-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventário:
1800 Pcs Novo Original Em Estoque
13526116
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nome do Contato
*
Telefone
*
E-mail
Endereço de Entrega
Mensagem
(
*
) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
R6012JNJGTL Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 6A, 15V
vgs(th) (máx) @ id
7V @ 2.5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
900 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
160W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
LPTS
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
R6012
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
R6012JNJGTL
Informação Adicional
Outros nomes
R6012JNJGTLDKR
R6012JNJGTLCT
R6012JNJGTLTR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
R6030KNZ1C9
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
RW1A013ZPT2R
MOSFET P-CH 12V 1.5A 6WEMT
R6004JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
RCX330N25
MOSFET N-CH 250V 33A TO220FM