Número do Produto do Fabricante:
R6009KNX
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
R6009KNX-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventário:
13526049
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R6009KNX Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
535mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
540 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
48W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220FM
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
R6009
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
R6009KNXCT
R6009KNXDKR
R6009KNXCT-ND
R6009KNXCTINACTIVE
R6009KNXDKR-ND
R6009KNXDKRINACTIVE
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK560A65Y,S4X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5
NÚMERO DA PEÇA
TK560A65Y,S4X-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.60
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
IPAW60R600P7SXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1
NÚMERO DA PEÇA
IPAW60R600P7SXKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.94
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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