Número do Produto do Fabricante:
R6009JNJGTL
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
R6009JNJGTL-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventário:
1000 Pcs Novo Original Em Estoque
13526555
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R6009JNJGTL Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
585mOhm @ 4.5A, 15V
vgs(th) (máx) @ id
7V @ 1.38mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
645 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
LPTS
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
R6009
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
R6009JNJGTLCT
R6009JNJGTLDKR
R6009JNJGTLTR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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