Número do Produto do Fabricante:
R6006JND3TL1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
R6006JND3TL1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventário:
12 Pcs Novo Original Em Estoque
12850600
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Quantidade
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ENVIAR
R6006JND3TL1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
936mOhm @ 3A, 15V
vgs(th) (máx) @ id
7V @ 800µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15.5 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
410 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
86W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
R6006
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-R6006JND3TL1TR
846-R6006JND3TL1DKR
846-R6006JND3TL1CT
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPD80R1K2P7ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
14924
NÚMERO DA PEÇA
IPD80R1K2P7ATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.40
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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