Número do Produto do Fabricante:
QS8J2TR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
QS8J2TR-DG
Descrição:
MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 12V 4A 550mW Surface Mount TSMT8
Inventário:
7544 Pcs Novo Original Em Estoque
13526045
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QS8J2TR Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1940pF @ 6V
Potência - Máx.
550mW
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SMD, Flat Lead
Pacote de dispositivos do fornecedor
TSMT8
Número do produto base
QS8J2
Folha de Dados & Documentos
Recursos de design
Documentos de confiabilidade
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-QS8J2TR
QS8J2TR-ND
846-QS8J2CT
846-QS8J2DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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