Número do Produto do Fabricante:
HT8KE6TB1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
HT8KE6TB1-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 100V 4.5A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 14W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventário:
4000 Pcs Novo Original Em Estoque
12787956
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HT8KE6TB1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel
Recurso FET
Standard
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
57mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.7nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
305pF @ 50V
Potência - Máx.
2W (Ta), 14W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-HSMT (3.2x3)
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
846-HT8KE6TB1DKR
846-HT8KE6TB1CT
846-HT8KE6TB1TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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