Número do Produto do Fabricante:
HS8K11TB
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
HS8K11TB-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 30V 7A, 11A 2W Surface Mount HSML3030L10
Inventário:
1372 Pcs Novo Original Em Estoque
13524843
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HS8K11TB Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.9mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11.1nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
500pF @ 15V
Potência - Máx.
2W
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-UDFN Exposed Pad
Pacote de dispositivos do fornecedor
HSML3030L10
Número do produto base
HS8K11
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
HS8K11TBDKR
HS8K11TBCT
HS8K11TBTR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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