Número do Produto do Fabricante:
EMH3T2R
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
EMH3T2R-DG
Descrição:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventário:
528 Pcs Novo Original Em Estoque
13521842
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EMH3T2R Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Conjuntos de Transistores Bipolares, Pré-Biasados
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50V
Resistor - Base (R1)
4.7kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
-
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
-
Frequência - Transição
250MHz
Potência - Máx.
150mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SOT-563, SOT-666
Pacote de dispositivos do fornecedor
EMT6
Número do produto base
EMH3T2
Folha de Dados & Documentos
Recursos de design
Folhas de dados
Documentos de confiabilidade
Informação Adicional
Outros nomes
EMH3T2R-ND
EMH3T2RTR
EMH3T2RCT
EMH3T2RDKR
Pacote padrão
8,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
PEMD6,115
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
4000
NÚMERO DA PEÇA
PEMD6,115-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.06
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
RN1910FE,LF(CT
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
4750
NÚMERO DA PEÇA
RN1910FE,LF(CT-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.02
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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