Número do Produto do Fabricante:
EMG5T2R
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
EMG5T2R-DG
Descrição:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Inventário:
2995 Pcs Novo Original Em Estoque
13523835
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EMG5T2R Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Conjuntos de Transistores Bipolares, Pré-Biasados
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50V
Resistor - Base (R1)
10kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
47kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
500nA
Frequência - Transição
250MHz
Potência - Máx.
150mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Pacote de dispositivos do fornecedor
EMT5
Número do produto base
EMG5T2
Folha de Dados & Documentos
Recursos de design
Documentos de confiabilidade
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
EMG5T2RCT
EMG5T2RDKR
EMG5T2RTR
Pacote padrão
8,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
RN1707JE(TE85L,F)
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3872
NÚMERO DA PEÇA
RN1707JE(TE85L,F)-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.04
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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