Número do Produto do Fabricante:
EMF7T2R
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
EMF7T2R-DG
Descrição:
TRANS DIGITAL BJT NPN 12V 500MA/
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventário:
12995526
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EMF7T2R Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Conjuntos de Transistores Bipolares, Pré-Biasados
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100mA, 500mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50V, 12V
Resistor - Base (R1)
2.2kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
2.2kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
20 @ 20mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
500nA, 100nA (ICBO)
Frequência - Transição
250MHz, 320MHz
Potência - Máx.
150mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SOT-563, SOT-666
Pacote de dispositivos do fornecedor
EMT6
Número do produto base
EMF7
Informação Adicional
Outros nomes
846-EMF7T2RTR
Pacote padrão
8,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
Certificação DIGI
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