EMD30T2R
Número do Produto do Fabricante:

EMD30T2R

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

EMD30T2R-DG

Descrição:

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN 50V, 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT6

Inventário:

12818177
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EMD30T2R Especificações Técnicas

Categoria
Bipolar (BJT), Conjuntos de Transistores Bipolares, Pré-Biasados
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Not For New Designs
Tipo de transistor
1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
200mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50V, 30V
Resistor - Base (R1)
10kOhms, 1kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
10kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
500nA
Frequência - Transição
260MHz
Potência - Máx.
150mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SOT-563, SOT-666
Pacote de dispositivos do fornecedor
EMT6
Número do produto base
EMD30

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
846-EMD30T2RTR
EMD30T2RCT
EMD30T2R-DG
EMD30T2RTR
EMD30T2RDKR
Pacote padrão
8,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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