Número do Produto do Fabricante:
EM6M1T2R
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
EM6M1T2R-DG
Descrição:
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 30V, 20V 100mA, 200mA 150mW Surface Mount EMT6
Inventário:
13521832
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EM6M1T2R Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Not For New Designs
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
N and P-Channel
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V, 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (máx) @ id
-
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
0.9nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13pF @ 5V
Potência - Máx.
150mW
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SOT-563, SOT-666
Pacote de dispositivos do fornecedor
EMT6
Número do produto base
EM6M1
Informação Adicional
Outros nomes
Q8377399
EM6M1T2RTR
EM6M1T2RCT
EM6M1T2RDKR
Pacote padrão
8,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
NTJD4158CT1G
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
14230
NÚMERO DA PEÇA
NTJD4158CT1G-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.09
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
SI1035X-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
6387
NÚMERO DA PEÇA
SI1035X-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.12
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
NX3008CBKV,115
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
15002
NÚMERO DA PEÇA
NX3008CBKV,115-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.06
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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