Número do Produto do Fabricante:
DTC114EMFHAT2L
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
DTC114EMFHAT2L-DG
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VMT3
Inventário:
12939492
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DTC114EMFHAT2L Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pré-Biasados Simples
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Not For New Designs
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
10 kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
500nA
Frequência - Transição
250 MHz
Potência - Máx.
150 mW
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SOT-723
Pacote de dispositivos do fornecedor
VMT3
Número do produto base
DTC114
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-DTC114EMFHAT2LCT
846-DTC114EMFHAT2LTR
846-DTC114EMFHAT2LDKR
Pacote padrão
8,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
RN1102MFV,L3F
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
13398
NÚMERO DA PEÇA
RN1102MFV,L3F-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.02
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
NÚMERO DA PEÇA
DTC114EM3T5G
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
20591
NÚMERO DA PEÇA
DTC114EM3T5G-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.04
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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