Número do Produto do Fabricante:
BSM180D12P2C101
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
BSM180D12P2C101-DG
Descrição:
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 204A (Tc) 1130W Module
Inventário:
1 Pcs Novo Original Em Estoque
13523041
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
BSM180D12P2C101 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
Silicon Carbide (SiC)
Configuração
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 35.2mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
23000pF @ 10V
Potência - Máx.
1130W
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Pacote / Estojo
Module
Pacote de dispositivos do fornecedor
Module
Número do produto base
BSM180
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Documentos de confiabilidade
Informação Adicional
Outros nomes
Q7641253A
Pacote padrão
12
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
BSM120D12P2C005
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
BSM250D17P2E004
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
HP8KA1TB
MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
