Número do Produto do Fabricante:
BSM180C12P2E202
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
BSM180C12P2E202-DG
Descrição:
SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 204A (Tc) 1360W (Tc) Chassis Mount Module
Inventário:
4 Pcs Novo Original Em Estoque
13521329
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BSM180C12P2E202 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tray
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
204A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 35.2mA
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
20000 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1360W (Tc)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
Module
Pacote / Estojo
Module
Número do produto base
BSM180
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
4
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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