Número do Produto do Fabricante:
BR25G512FVT-3GE2
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
BR25G512FVT-3GE2-DG
Descrição:
IC EEPROM 512KBIT SPI 8TSSOP
Descrição Detalhada:
EEPROM Memory IC 512Kbit SPI 10 MHz 8-TSSOP-B
Inventário:
3081 Pcs Novo Original Em Estoque
4085662
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BR25G512FVT-3GE2 Especificações Técnicas
Categoria
Memória, Memória
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
DiGi-Electronics programável
Not Verified
Tipo de memória
Non-Volatile
Formato de memória
EEPROM
Tecnologia
EEPROM
Tamanho da memória
512Kbit
Organização da memória
64K x 8
Interface de memória
SPI
Frequência do relógio
10 MHz
Tempo de ciclo de gravação - Word, Página
5ms
Tensão - Alimentação
1.8V ~ 5.5V
Temperatura de operação
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-TSSOP-B
Número do produto base
BR25G512
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
BR25G512FVT-3GE2TR
BR25G512FVT-3GE2DKR
BR25G512FVT-3GE2CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
3A991B1B2
HTSUS
8542.32.0051
Certificação DIGI
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