Número do Produto do Fabricante:
UPA2003C-A
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
UPA2003C-A-DG
Descrição:
NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 60V 500mA 900mW Through Hole 16-DIP
Inventário:
1875 Pcs Novo Original Em Estoque
12974873
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ENVIAR
UPA2003C-A Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Arranjos de Transistores Bipolares
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
7 NPN Darlington
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
500mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
60V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 500µA, 350mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
-
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 350mA, 2V
Potência - Máx.
900mW
Frequência - Transição
-
Temperatura de operação
-30°C ~ 75°C
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
16-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacote de dispositivos do fornecedor
16-DIP
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
RENRNSUPA2003C-A
2156-UPA2003C-A
Pacote padrão
299
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
Not applicable
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificação DIGI
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