Número do Produto do Fabricante:
NP109N055PUK-E1-AY
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
NP109N055PUK-E1-AY-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Descrição Detalhada:
N-Channel 55 V 110A (Tc) 1.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventário:
1560 Pcs Novo Original Em Estoque
12861253
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NP109N055PUK-E1-AY Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
55 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
189 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11250 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.8W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
NP109N055
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
-1161-NP109N055PUK-E1-AYCT
559-NP109N055PUK-E1-AYCT
NP109N055PUK-E1-AY-DG
559-NP109N055PUK-E1-AYTR
559-NP109N055PUK-E1-AYDKR
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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