Número do Produto do Fabricante:
H7N1002LSTL-E
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
H7N1002LSTL-E-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 75A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount LDPAK
Inventário:
12861702
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
H7N1002LSTL-E Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
75A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 37.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
-
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9700 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
LDPAK
Pacote / Estojo
SC-83
Número do produto base
H7N1002
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
PSMN015-100B,118
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2021
NÚMERO DA PEÇA
PSMN015-100B,118-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.81
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
NP60N04KUG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 60A TO263
RJK6012DPE-00#J3
MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK
RJK5015DPK-00#T0
MOSFET N-CHANNEL 500V 25A TO3P
