Número do Produto do Fabricante:
H5N2305P-E
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
H5N2305P-E-DG
Descrição:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Descrição Detalhada:
N-Channel 230 V 35A (Ta) 60W (Tc) Through Hole TO-3PFM
Inventário:
310 Pcs Novo Original Em Estoque
12955007
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H5N2305P-E Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
230 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
35A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de operação
150°C
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3PFM
Pacote / Estojo
TO-3PFM, SC-93-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
RENRNSH5N2305P-E
2156-H5N2305P-E
Pacote padrão
42
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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