Número do Produto do Fabricante:
2SK1341-E
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
2SK1341-E-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 900V 6A TO3P
Descrição Detalhada:
N-Channel 900 V 6A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventário:
12861393
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
2SK1341-E Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
900 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
-
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
980 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
2SK1341
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXFH12N90P
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1289
NÚMERO DA PEÇA
IXFH12N90P-DG
PREÇO UNITÁRIO
5.21
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
UPA2754GR(0)-E1-AY
TRANSISTOR
NP100N04PUK-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
IRF7464
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO
