Número do Produto do Fabricante:
2SK1339-E
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
2SK1339-E-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
Descrição Detalhada:
N-Channel 900 V 3A (Ta) 80W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventário:
12857795
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2SK1339-E Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
900 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
-
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
425 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
2SK1339
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STP3NK90Z
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
361
NÚMERO DA PEÇA
STP3NK90Z-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.77
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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