Número do Produto do Fabricante:
2SK1058-E
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
2SK1058-E-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 160V 7A TO3P
Descrição Detalhada:
N-Channel 160 V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventário:
12852973
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2SK1058-E Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
160 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (máx) @ id
-
Vgs (máx.)
±15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
600 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
2SK1058
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FDA18N50
FABRICANTE
Fairchild Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1564
NÚMERO DA PEÇA
FDA18N50-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.66
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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