Número do Produto do Fabricante:
2SJ649-AZ
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
2SJ649-AZ-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 20A TO220
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 20A (Tc) 2W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Inventário:
12855075
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2SJ649-AZ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
-
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1900 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220 Isolated Tab
Pacote / Estojo
TO-220-3 Isolated Tab
Número do produto base
2SJ649
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
25
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXTP28P065T
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IXTP28P065T-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.56
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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