PJW3N10A_R2_00001
Número do Produto do Fabricante:

PJW3N10A_R2_00001

Product Overview

Fabricante:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Número da Peça:

PJW3N10A_R2_00001-DG

Descrição:

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 2.2A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223

Inventário:

14009 Pcs Novo Original Em Estoque
12970626
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PJW3N10A_R2_00001 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
PANJIT
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
310mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
9.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
508 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.1W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-223
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA
Número do produto base
PJW3N10A

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
3757-PJW3N10A_R2_00001CT
3757-PJW3N10A_R2_00001TR
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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