Número do Produto do Fabricante:
PJQ4464AP_R2_00001
Product Overview
Fabricante:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PJQ4464AP_R2_00001-DG
Descrição:
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 7.3A (Ta), 33A (Tc) 2W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount DFN3333-8
Inventário:
12972585
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
PJQ4464AP_R2_00001 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
PANJIT
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7.3A (Ta), 33A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
13.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1574 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DFN3333-8
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Número do produto base
PJQ4464
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3757-PJQ4464AP_R2_00001TR
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
PJQ5425_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
IRFR420TRPBF-BE3
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
BSS84-F169
MOSFET
