PJQ1902_R1_00001
Número do Produto do Fabricante:

PJQ1902_R1_00001

Product Overview

Fabricante:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Número da Peça:

PJQ1902_R1_00001-DG

Descrição:

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 500mA (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 3-DFN (0.6x1)

Inventário:

12970138
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

PJQ1902_R1_00001 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
PANJIT
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
0.87 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
34 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
700mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
3-DFN (0.6x1)
Pacote / Estojo
3-UFDFN
Número do produto base
PJQ1902

Informação Adicional

Outros nomes
3757-PJQ1902_R1_00001DKR
3757-PJQ1902_R1_00001TR
Pacote padrão
8,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
infineon-technologies

ISC019N03L5SATMA1

MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON

panjit

PJD80N03_L2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD11N06A_L2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nexperia

PMH850UPEH

MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3