PJP7NA65_T0_00001
Número do Produto do Fabricante:

PJP7NA65_T0_00001

Product Overview

Fabricante:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Número da Peça:

PJP7NA65_T0_00001-DG

Descrição:

650V N-CHANNEL MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 7A (Ta) 145W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventário:

RFQ Online
12971356
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

PJP7NA65_T0_00001 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
PANJIT
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
754 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
145W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
PJP7

Informação Adicional

Outros nomes
3757-PJP7NA65_T0_00001
Pacote padrão
50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produtos Relacionados
panjit

PJD45N06A-AU_L2_000A1

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nexperia

PMN48XPA2X

MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP

panjit

PJL9409_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD60N04-AU_L2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M