PJP60R620E_T0_00001
Número do Produto do Fabricante:

PJP60R620E_T0_00001

Product Overview

Fabricante:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Número da Peça:

PJP60R620E_T0_00001-DG

Descrição:

600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 1.2A (Ta), 7A (Tc) 2W (Ta), 78W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventário:

RFQ Online
12970491
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PJP60R620E_T0_00001 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
PANJIT
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.2A (Ta), 7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
620mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
457 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
PJP60R

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
PJD60R620E / PJP60R620E / PJF60R620E

Informação Adicional

Outros nomes
3757-PJP60R620E_T0_00001
Pacote padrão
50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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