Número do Produto do Fabricante:

PJP4NA60_T0_00001

Product Overview

Fabricante:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Número da Peça:

PJP4NA60_T0_00001-DG

Descrição:

600V N-CHANNEL MOSFET

Descrição Detalhada:

N-Channel 600 V 4A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventário:

RFQ Online

12972083

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PJP4NA60_T0_00001 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

PANJIT

Embalagem

-

Série

-

Status do produto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

600 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

4A (Ta)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 2A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

4V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

11.1 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

450 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

100W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-220AB

Pacote / Estojo

TO-220-3

Número do produto base

PJP4

Informação Adicional

Outros nomes

3757-PJP4NA60_T0_00001

Pacote padrão

50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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