Número do Produto do Fabricante:
PJP2NA70_T0_00001
Product Overview
Fabricante:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PJP2NA70_T0_00001-DG
Descrição:
700V N-CHANNEL MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 700 V 2A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
12971120
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PJP2NA70_T0_00001 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
PANJIT
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
700 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
260 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
45W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
PJP2
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3757-PJP2NA70_T0_00001
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SIHP5N80AE-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1010
NÚMERO DA PEÇA
SIHP5N80AE-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.52
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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